网络工信部:连续促进芯片、器件及IGBT模块财产成长

来源:未知 发布于 2019-10-09  浏览 次  

  据工信部网站动静,在以后庞大的国际形势下,工业半导体资料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的成长滞后将限制我国新旧动能转化及财产转型,进而影响国度经济成长。将连续成长我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产。

  关于政协十三届天下委员会第二次集会第2282号(公交邮电类256号)提案回答的函

  民进9组:

  你们提出的《关于加速支撑工业半导体芯片手艺研发及财产化自主成长的提案》收悉。经商成长鼎新委,现回答如下:

  集成电路财产是国民经济和社会成长的计谋性、根本性和先导性财产,其手艺程度和成长规模已成为权衡一个国度财产合作力和分析国力的主要标记。党地方、国务院高度注重集成电路财产成长,先后出台《国务院关于印发激励软件财产和集成电路财产成长若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步激励软件财产和集成电路财产成长若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)、《国度集成电路财产成长促进纲领》(以下简称《促进纲领》)等一系列文件,组织实施了有关国度科技严重专项,为我国集成电路财产成长营建了优良的财产情况。

  近年来,我国集成电路财产成长取得了长足前进,可是焦点手艺受制于人的场合排场依然没有底子转变,急需增强焦点手艺攻关,保障供应链平安和财产平安。正如你们在提议中所言,在以后庞大的国际形势下,工业半导体资料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的成长滞后将限制我国新旧动能转化及财产转型,进而影响国度经济成长。你们对成长我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产提出了很好的看法和提议,对咱们此后的事情拥有自创意思。

  一、关于制订工业半导体芯片成长计谋规划,出台搀扶手艺攻关及财产成长政策的提议

  为鞭策我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产成长,我部、成长鼎新委及有关部分,踊跃钻研出台政策搀扶财产成长。一是2014年国务院公布的《促进纲领》中,曾经将工业半导体芯片有关产物作为成长重点,通过资金、使用、人才等方面政策鞭策财产前进。二是成长鼎新委、我部钻研制订了集成电路有关结构规划,鞭策包罗工业半导体资料、芯片等财产构成区域集聚、主体集中的良性成长场合排场。三是依照国发〔2011〕4号文件的相关要求,对合适前提的工业半导体芯片设想、制作等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策,对有关范畴赐与重点搀扶。四是环绕能源、交通等国度重点工业范畴,充实阐扬有关行业组织感化,通过举办产用交换对接会、新产物推介会、公布典范使用树模案例等体例,为我国工业半导体芯片企业和零件企业搭建交换竞争平台。

  下一步,我部及有关部分将连续促进工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产成长,按照财产成长形势,调解完美政策实施细则,更好的支撑财产成长。通过行业协会等加大财产链竞争力度,深切促进产学研用协同,推进我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产的手艺迭代和使用推广。

  二、关于开放竞争,鞭策我国工业半导体芯片资料、芯片、器件及IGBT模块财产成长的提议

  集成电路是高度国际化、市场化的财产,资本整合、国际竞争是倏地提拔财产成长威力的主要路子。我部与有关部分踊跃支撑国内企业、高校、钻研院所与先辈发财国度增强交换竞争。引进外洋先辈手艺和研发团队,鞭策包罗工业半导体芯片、器件等范畴国际专家来华交换,支撑海外高条理财产人才来华成长,提拔我国在工业半导体芯片有关范畴的研发威力和手艺实力。

  下一步,我部和有关部分将继续加速促进开放成长。指导国内企业、钻研机构等增强与先辈发财国度产学研机构的计谋竞争,进一步激励我国企业引进外洋专家团队,推进我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产研发威力和财产威力的提拔。

  三、关于稳扎稳打分阶段冲破环节手艺的提议

  为处理工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块等焦点部件的环节性手艺问题,我部等有关部分踊跃支撑工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块范畴环节手艺攻关。一是2017年我部推出“工业强基IGBT器件一条龙使用打算”,针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大范畴,重点支撑IGBT设想、芯片制作、模块出产及IDM、上游资料、出产设施制作等关键,推进IGBT及有关财产的成长。二是指点湖南省建建功率半导体系体例造业立异核心扶植,整合财产链上下流资本,协同攻关工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块范畴环节共性手艺。三是指点中国宽禁带半导体及使用财产同盟公布《中国IGBT手艺与财产成长路线图(2018-2030)》,指导我国IGBT行业手艺升级,鞭策有关财产成长。

  下一步,我部将继续支撑我国工业半导体范畴成熟手艺成长,鞭策我国芯片制作范畴良率、产量的提拔。踊跃摆设新资料及新一代产物手艺的研发,鞭策我国工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块财产的成长。

  四、关于高度注重人才步队的培育,出台政策和办法成立这一范畴持久无效的人才培育打算的提议

  以后,人才问题出格是高端人才团队欠缺成为限制我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产可连续成长的环节要素,为此我部及有关部分踊跃鞭策我国有关财产人才的培育。一是我部、教诲部配合鞭策筹建集成电路产教融合成长同盟,推进财产界和学术界的资本整合,鞭策培育具有工程化威力的财产人才。二是同时以集成电路为试点实施环节范畴焦点手艺紧缺博士人才自主培育专项,按照行业企业必要,依靠高程度大学和国内骨干企业,针对性地培育一批高端博士人才。三是教诲部、我部等有关部分印发了《关于支撑相关高校扶植树模性微电子学院的通知》,支撑26所高校扶植或筹建树模性微电子学院,鞭策高校与区域内集成电路范畴骨干企业、国度大众办事平台、科技立异平台、财产化基地和处所当局等增强竞争。

  下一步,我部与教诲部等部分将进一步增强人才步队扶植。促进设立集成电路一级学科,进一步做实做强树模性微电子学院,加速扶植集成电路产教融合协同育人平台,保障我国在工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产的可连续成长。

  感激你们对我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块财产成长的关怀,但愿此后能获得更多的支撑和协助。

  工业和消息化部

  2019年8月31日